RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
62
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
41
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3114
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link