RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
19.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
3562
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link