RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
3562
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link