RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2814
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link