RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2966
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link