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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
62
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
30
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2966
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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