RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
62
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
40
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
9.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2117
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link