RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link