RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
62
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
35
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link