RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2728
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link