RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2728
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link