RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2795
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link