RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
71
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
71
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1956
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link