RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
92
Около -149% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3448
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link