RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
92
Por volta de -149% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
37
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3448
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link