RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
62
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
41
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2656
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link