RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
62
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
41
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2656
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link