RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
74
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
74
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1714
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link