RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
74
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
1714
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link