RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link