RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link