RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3356
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link