RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
62
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
34
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
22.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3597
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link