RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
62
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.6
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
34
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
16.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3597
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link