RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3622
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link