RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3622
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link