RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2806
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link