RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3048
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link