RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3391
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link