RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3391
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link