RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
62
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
39
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2574
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link