RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
62
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2574
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link