RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
62
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
45
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link