RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
62
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
45
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link