RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
4022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link