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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
62
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
26
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
4022
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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