RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
62
Около -265% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
17
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
21.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3481
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link