RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
62
Por volta de -265% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
17
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3481
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link