RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link