Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 62
    周辺 -130% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    7.4 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1612 left arrow 3061
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較