RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
62
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
20
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link