RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3010
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link