RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3010
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link