RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
73
Por volta de -161% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3010
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link