RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
62
Около -226% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
19
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3192
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link