RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3104
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link