RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
62
Около -265% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
17
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
20.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link