RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3840
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Сравнения RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link