RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
20.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link