RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
15.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3867
3075
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link