RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
23.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
4208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link